Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 35 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 39 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima | 144 W |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 17,2 ns |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 26 nC a 10 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Dimensiones | 10.67 x 4.83 x 9.02mm |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1750 pF a 50 V |
Longitud | 10.67mm |
Altura | 9.02mm |
Serie | HEXFET |
Material del transistor | Si |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 8,9 ns |
Ancho | 4.83mm |
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