Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 900 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4,2 Ω |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220F |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Configuración de transistor | Simple |
Conteo de Pines | 3 |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima | 47000 mW |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Ancho | 4.7mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Serie | QFET |
Altura | 9.19mm |
Dimensiones | 10.16 x 4.7 x 9.19mm |
Longitud | 10.16mm |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 40 ns |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 25 ns |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 740 pF a 25 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 17 nC a 10 V |
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