Tipo de Canal | N | |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 40 A | |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.015 Ω | |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V | |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V | |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V | |
Tipo de Encapsulado | TSDSON | |
Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
Conteo de Pines | 8 | |
Modo de Canal | Mejora | |
Categoría | MOSFET de potencia | |
Disipación de Potencia Máxima | 30 W | |
Configuración | Único | |
Longitud | 3.4mm | |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1100 pF@ 15 V | |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 2.9 ns | |
Ancho | 3.4mm | |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 13 ns | |
Altura | 1.1mm | |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
Dimensiones | 3.4 x 3.4 x 1.1mm | |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 13 nC@ 10 V | |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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