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Inicio / Tiristores / Articulo 4213

Mas informacion	BRX49 = BT149= MCR100-8 0,¹⁹ € PVP IVA Incluido 0,22 € Cantidad: Pida ahora y recibira su producto en menos de 48 horas.
Descripción Tiristor 400v, 800ma, igt/ih<0,2/<5ma, 8µs Lead code: 1) anode 2) gate 3) cathode e izq a dcha maximum ratings: (ta=25°c unless otherwise noted) symbol brx44 brx45 brx46 brx47 brx48 brx49 units peak repetitive off-state voltage vdrm, vrrm 30 60 100 200 300 400 v rms on-state current (tc=40°c) it(rms) 0.8 a average on-state current (tc=40°c) it(av) 0.5 a nonrept. on-state current (tc =60°c) itsm 10 a fusing current (t=10ms) i2t 0.24 a2s peak reverse gate voltage (igr=10ìa) vgrm 8.0 v peak gate current (t=10ìs) igm 1.0 a peak gate dissipation (t=10ìs) pgm 2.0 w gate dissipation (t=20ms) pg (av) 0.1 w operating and storage junction temperature tj, tstg -40 to +125 °c thermal resistance èjc 100 °c/w thermal resistance èja 200 °c/w electrical characteristics: (ta=25°c unless otherwise noted) symbol test conditions min max units idrm, irrm rated vdrm, vrrm, rgk=1.0kù, tc=25°c 1.0 ìa idrm, irrm rated vdrm, vrrm, rgk=1.0kù, tc=125°c 0.1 ma vtm it=1.0a 1.7 v igt vd=6.0v, rl=10ù 200 ìa vgt vd=6.0v, rl=10ù 0.8 v ih rgk=1.0kù 5.0 ma il rgk=1.0kù 6.0 ma dv/dt vd=0.67v x vdrm, rgk=1.0kù, tc=125°c 100 v/ìs di/dt ig= 10ma, dig/dt=0.1a/ìs, tc=125°c 30 a/ìs

Mas informacion

BRX49 = BT149= MCR100-8

0,¹⁹ €

PVP IVA Incluido 0,22 €

Descripción

Tiristor 400v, 800ma, igt/ih<0,2/<5ma, 8µs
Lead code:
1) anode
2) gate
3) cathode

e izq a dcha

maximum ratings: (ta=25°c unless otherwise noted)
symbol brx44 brx45 brx46 brx47 brx48 brx49 units
peak repetitive off-state voltage vdrm, vrrm 30 60 100 200 300 400 v
rms on-state current (tc=40°c) it(rms) 0.8 a
average on-state current (tc=40°c) it(av) 0.5 a
nonrept. on-state current (tc =60°c) itsm 10 a
fusing current (t=10ms) i2t 0.24 a2s
peak reverse gate voltage (igr=10ìa) vgrm 8.0 v
peak gate current (t=10ìs) igm 1.0 a
peak gate dissipation (t=10ìs) pgm 2.0 w
gate dissipation (t=20ms) pg (av) 0.1 w
operating and storage
junction temperature tj, tstg -40 to +125 °c
thermal resistance èjc 100 °c/w
thermal resistance èja 200 °c/w
electrical characteristics: (ta=25°c unless otherwise noted)
symbol test conditions min max units
idrm, irrm rated vdrm, vrrm, rgk=1.0kù, tc=25°c 1.0 ìa
idrm, irrm rated vdrm, vrrm, rgk=1.0kù, tc=125°c 0.1 ma
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igt vd=6.0v, rl=10ù 200 ìa
vgt vd=6.0v, rl=10ù 0.8 v
ih rgk=1.0kù 5.0 ma
il rgk=1.0kù 6.0 ma
dv/dt vd=0.67v x vdrm, rgk=1.0kù, tc=125°c 100 v/ìs
di/dt ig= 10ma, dig/dt=0.1a/ìs, tc=125°c 30 a/ìs

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